실리콘카바이드(SiC)는 내열성, 내식성, 내산화성, 내열충격성 등이 우수하기 때문에 고온반도체, 고온구조재료, 반도체용
부재 등으로의 응용에 유망한 재료입니다.

화학 증착에 의해 제조된 실리콘 카바이드(chemically vapor deposited SiC, CVD-SiC)는 Si 및 C 를 포함하는 기체를
이용하여 소결 과정을 거치지 않고 기체로 부터 직접 SiC
고체를 형성하므로 1200-1500℃ 정도의 낮은 온도로 소결
조제의 첨가 없이 치밀하고, 순도가 높은 SiC를 얻을 수
있습니다.

CVD-SiC는 여러 분야에서 응용하여 적용되고 있으며, 현재
대표적으로 사용되고 있는 곳은 반도체 웨이퍼 처리용 susceptor, 내마모 코팅, 광학용 고에너지 미러(mirror), 태양광 집광기(solar concentrator), 천체 관측용 망원경 미러, 대형
경량 미러(large lightweight mirror) 등에 적용되고 있습니다.